RAL025P01TCR Scheda dati
Specifiche per RAL025P01TCR
Numero parte : RAL025P01TCR
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 320mW (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TUMT6
Pacchetto / caso : 6-SMD, Flat Leads
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RAL025P01TCR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4638955 pezzi
Prezzo di riferimento
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