QS8M51TR Scheda dati
Specifiche per QS8M51TR
Numero parte : QS8M51TR
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V
Potenza - Max : 1.5W
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-QS8M51TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
927785 pezzi
Prezzo di riferimento
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