PSMN5R8-30LL,115 Scheda dati
Specifiche per PSMN5R8-30LL,115
Numero parte : PSMN5R8-30LL,115
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 30V QFN3333
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1316pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 55W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V QFN3333
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10984 pezzi
Prezzo di riferimento
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