Specifiche per PMV30UN,215

Numero parte : PMV30UN,215
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.9W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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