PMGD290XN,115 Scheda dati
Specifiche per PMGD290XN,115
Numero parte : PMGD290XN,115
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 860mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.72nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 34pF @ 20V
Potenza - Max : 410mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4293905 pezzi
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