PMG45UN,115 Scheda dati
Specifiche per PMG45UN,115
Numero parte : PMG45UN,115
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 375mW (Ta), 4.35W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSSOP
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMG45UN,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
19752 pezzi
Prezzo di riferimento
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