PMFPB8040XP,115 Scheda dati
Specifiche per PMFPB8040XP,115
Numero parte : PMFPB8040XP,115
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-HUSON-EP (2x2)
Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
19752 pezzi
Prezzo di riferimento
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