PMDXB600UNEZ Scheda dati
Specifiche per PMDXB600UNEZ
Numero parte : PMDXB600UNEZ
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V
Potenza - Max : 265mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1010B-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMDXB600UNEZ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2255155 pezzi
Prezzo di riferimento
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