PMCXB1000UEZ Scheda dati
Specifiche per PMCXB1000UEZ
Numero parte : PMCXB1000UEZ
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Potenza - Max : 285mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1010B-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMCXB1000UEZ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2304045 pezzi
Prezzo di riferimento
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