PHD18NQ10T,118 Scheda dati
Specifiche per PHD18NQ10T,118
Numero parte : PHD18NQ10T,118
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 79W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
24619 pezzi
Prezzo di riferimento
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