PH5525L,115 Scheda dati
Specifiche per PH5525L,115
Numero parte : PH5525L,115
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 81.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 12V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PH5525L,115
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
62385 pezzi
Prezzo di riferimento
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