NVMFD5875NLT1G Scheda dati
Specifiche per NVMFD5875NLT1G
Numero parte : NVMFD5875NLT1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Potenza - Max : 3.2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
903985 pezzi
Prezzo di riferimento
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