NTMFD4C86NT1G Scheda dati
Specifiche per NTMFD4C86NT1G
Numero parte :
NTMFD4C86NT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11.3A, 18.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
22.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1153pF @ 15V
Potenza - Max :
1.1W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-DFN (5x6)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
29309 pezzi
Prezzo di riferimento
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