NTJD4105CT1G Scheda dati
Specifiche per NTJD4105CT1G
Numero parte : NTJD4105CT1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 20V
Potenza - Max : 270mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-NTJD4105CT1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3986415 pezzi
Prezzo di riferimento
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