NTH027N65S3F_F155 Scheda dati
Specifiche per NTH027N65S3F_F155
Numero parte : NTH027N65S3F_F155
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
Serie : FRFET®, SuperFET® II
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 7.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7690pF @ 400V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 595W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
22239 pezzi
Prezzo di riferimento
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