NSVMUN5133DW1T1G Scheda dati
Specifiche per NSVMUN5133DW1T1G
Numero parte : NSVMUN5133DW1T1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Transistor Type : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : -
Potenza - Max : 250mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4624275 pezzi
Prezzo di riferimento
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