NSVBA114EDXV6T1G Scheda dati
Specifiche per NSVBA114EDXV6T1G
Numero parte : NSVBA114EDXV6T1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : -
Potenza - Max : 500mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-563-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4193405 pezzi
Prezzo di riferimento
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