MBR200150CTR Scheda dati
Specifiche per MBR200150CTR
Numero parte :
MBR200150CTR
fabbricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrizione :
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Serie :
-
Stato parte :
Active
Configurazione diodi :
1 Pair Common Anode
Diodo :
Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
150V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) :
100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
880mV @ 100A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
3mA @ 150V
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore :
Twin Tower
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-MBR200150CTR
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10536 pezzi
Prezzo di riferimento
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