LSIC1MO120E0160 Scheda dati
Specifiche per LSIC1MO120E0160
Numero parte : LSIC1MO120E0160
fabbricante : Littelfuse Inc.
Descrizione : SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 20V
Vgs (massimo) : +22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 800V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51006 pezzi
Prezzo di riferimento
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