LND150N3-G-P013 Scheda dati
Specifiche per LND150N3-G-P013
Numero parte : LND150N3-G-P013
fabbricante : Microchip Technology
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V
Caratteristica FET : Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) : 740mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3
Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1194700 pezzi
Prezzo di riferimento
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