IXTP08N100D2 Scheda dati
Specifiche per IXTP08N100D2
Numero parte : IXTP08N100D2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
Caratteristica FET : Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTP08N100D2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
280000 pezzi
Prezzo di riferimento
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