IXTN30N100L Scheda dati
Specifiche per IXTN30N100L
Numero parte : IXTN30N100L
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13700pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 800W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTN30N100L
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
13728 pezzi
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