IXTH2N170D2 Scheda dati
Specifiche per IXTH2N170D2
Numero parte : IXTH2N170D2
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3650pF @ 10V
Caratteristica FET : Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) : 568W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTH2N170D2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
48444 pezzi
Prezzo di riferimento
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