IXFT6N100F Scheda dati
Specifiche per IXFT6N100F
Numero parte : IXFT6N100F
fabbricante : IXYS-RF
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Serie : HiPerRF™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 180W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268 (IXFT)
Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFT6N100F
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
55938 pezzi
Prezzo di riferimento
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