IXFP56N30X3M Scheda dati
Specifiche per IXFP56N30X3M
Numero parte : IXFP56N30X3M
fabbricante : IXYS
Descrizione : FET N-CHANNEL
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3750pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 36W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFP56N30X3M
fabbricante
Breve descrizione
FET N-CHANNEL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
71060 pezzi
Prezzo di riferimento
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