IXFN24N100F Scheda dati
Specifiche per IXFN24N100F
Numero parte : IXFN24N100F
fabbricante : IXYS-RF
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Serie : HiPerRF™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 600W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFN24N100F
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
20128 pezzi
Prezzo di riferimento
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