IXFK26N120P Scheda dati
Specifiche per IXFK26N120P
Numero parte : IXFK26N120P
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / caso : TO-264-3, TO-264AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFK26N120P
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
24787 pezzi
Prezzo di riferimento
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