IXFH12N100F Scheda dati
Specifiche per IXFH12N100F
Numero parte : IXFH12N100F
fabbricante : IXYS-RF
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Serie : HiPerRF™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso : TO-3P-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFH12N100F
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51480 pezzi
Prezzo di riferimento
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