IXDN602SI Scheda dati
Specifiche per IXDN602SI
Numero parte : IXDN602SI
fabbricante : IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie : -
Stato parte : Active
Configurazione guidata : Low-Side
Tipo di canale : Independent
Numero di driver : 2
Gate Type : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura : 4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) : 2A, 2A
Tipo di input : Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) : -
Rise / Fall Time (Typ) : 7.5ns, 6.5ns
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC-EP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXDN602SI
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
242945 pezzi
Prezzo di riferimento
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