IRLMS5703TR Scheda dati
Specifiche per IRLMS5703TR
Numero parte :
IRLMS5703TR
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.7W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Micro6™(SOT23-6)
Pacchetto / caso :
SOT-23-6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRLMS5703TR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
64215 pezzi
Prezzo di riferimento
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