IRLMS2002 Scheda dati
Specifiche per IRLMS2002
Numero parte : IRLMS2002
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Micro6™(SOT23-6)
Pacchetto / caso : SOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRLMS2002
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
50316 pezzi
Prezzo di riferimento
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