IRLD110PBF Scheda dati
Specifiche per IRLD110PBF
Numero parte :
IRLD110PBF
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.3W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRLD110PBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
437010 pezzi
Prezzo di riferimento
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