IRL630S Scheda dati
Specifiche per IRL630S
Numero parte : IRL630S
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 74W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRL630S
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
63265 pezzi
Prezzo di riferimento
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