IRG7CH30K10EF Scheda dati
Specifiche per IRG7CH30K10EF
Numero parte : IRG7CH30K10EF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : IGBT CHIP WAFER
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 10A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.56V @ 15V, 10A
Potenza - Max : -
Cambiare energia : -
Tipo di input : Standard
Carica del cancello : 4.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 10ns/90ns
Condizione di test : 600V, 10A, 22 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT CHIP WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
338715 pezzi
Prezzo di riferimento
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