IRFSL38N20DPBF Scheda dati
Specifiche per IRFSL38N20DPBF
Numero parte : IRFSL38N20DPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 43A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
183460 pezzi
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