IRFHM8363TR2PBF Scheda dati
Specifiche per IRFHM8363TR2PBF
Numero parte : IRFHM8363TR2PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V
Potenza - Max : 2.7W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28035 pezzi
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