IRFHE4250DTRPBF Scheda dati
Specifiche per IRFHE4250DTRPBF
Numero parte : IRFHE4250DTRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Serie : FASTIRFET™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 86A, 303A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1735pF @ 13V
Potenza - Max : 156W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 32-PowerWFQFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 32-PQFN (6x6)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28497 pezzi
Prezzo di riferimento
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