IRFH7911TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRFH7911TRPBF
Numero parte : IRFH7911TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V
Potenza - Max : 2.4W, 3.4W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 18-PowerVQFN
Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (5x6)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
373750 pezzi
Prezzo di riferimento
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