Specifiche per IRFD210

Numero parte : IRFD210
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 600mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
64165 pezzi
Prezzo di riferimento
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