IRF9953 Scheda dati
Specifiche per IRF9953
Numero parte : IRF9953
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF9953
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
26061 pezzi
Prezzo di riferimento
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