IRF7702TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRF7702TRPBF
Numero parte : IRF7702TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3470pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP
Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF7702TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
6824 pezzi
Prezzo di riferimento
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