Specifiche per IRF7420TRPBF

Numero parte : IRF7420TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3529pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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