IRF7353D2PBF Scheda dati
Specifiche per IRF7353D2PBF
Numero parte : IRF7353D2PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie : FETKY™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF7353D2PBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
68770 pezzi
Prezzo di riferimento
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