IRF7106 Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Specifiche per IRF7106

Numero parte : IRF7106

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

IRF7106

Numero parte interna

AX-IRF7106

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

25998 pezzi

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