IRF6785MTR1PBF Scheda dati
Specifiche per IRF6785MTR1PBF
Numero parte :
IRF6785MTR1PBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso :
DirectFET™ Isometric MZ
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
65990 pezzi
Prezzo di riferimento
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