Specifiche per IRF6710S2TRPBF

Numero parte : IRF6710S2TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 13V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET S1
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric S1
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
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Prezzo di riferimento
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