IRF6662TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRF6662TRPBF
Numero parte : IRF6662TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MZ
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF6662TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
503840 pezzi
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