IRF6629TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRF6629TRPBF
Numero parte :
IRF6629TRPBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4260pF @ 13V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 100W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso :
DirectFET™ Isometric MX
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF6629TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
8993 pezzi
Prezzo di riferimento
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