IRF6621TR1PBF Scheda dati
Specifiche per IRF6621TR1PBF
Numero parte : IRF6621TR1PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 55A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1460pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ SQ
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric SQ
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
8992 pezzi
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