IPS70R1K4P7SAKMA1 Scheda dati
Specifiche per IPS70R1K4P7SAKMA1
Numero parte : IPS70R1K4P7SAKMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Serie : CoolMOS™ P7
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 158pF @ 400V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 22.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
607275 pezzi
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